"Трудный выбор"

[Andruha]

В любом случае ,если правильно сделано то транзистор не должен работать при предельной температуре, поэтому датчики стоят на значительно меньшую температуру чем предельная для транзистора ,т.е. если датчик и транзистор будут находиться во взамнопротивоположных точках радиатора ,перегрева кристалла быть не должно ,и это главное, а ПН это то что при конкретной конструкции получилось . Если предположим ,имеется готовый конструктив (расположение транзисторов ,датчиков ,расстояние между ними...), то сохранив это таким же но увеличив площадь того же радиатора ,ПН вырастет. Просто есть необходимый минимум, реальная потребность ,и экономическая целесообразность, это тоже имеет большое значение при разработке и производстве.